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W987D2HBJX6E

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부품 번호
W987D2HBJX6E
제조사
Winbond Electronics
기술
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
W987D2HBJX6E.pdf
합계:$2.42079
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재고 42953 PC

굴절 가격
(미국 달러로)
1PC
$2.42079

견적 인용

부품 번호
W987D2HBJX6E
제조사
Winbond Electronics
기술
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
부품 상태
Not For New Designs
메모리 유형
Volatile
메모리 형식
DRAM
과학 기술
SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기
128Mb (4M x 32)
클럭 주파수
166MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
15ns
액세스 시간
5.4ns
메모리 인터페이스
Parallel
전압 - 공급
1.7V ~ 1.95V
작동 온도
-25°C ~ 85°C (TC)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
90-TFBGA
공급 업체 장치 패키지
90-VFBGA (8x13)

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