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NVTFS6H888NTAG

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부품 번호
NVTFS6H888NTAG
제조사
ON Semiconductor
기술
T8 80V U8FL
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무연 / RoHS 준수
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부품 번호
NVTFS6H888NTAG
제조사
ON Semiconductor
기술
T8 80V U8FL
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
80V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
4.7A (Ta), 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
4V @ 15µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
4.7nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
220pF @ 40V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
2.9W (Ta), 18W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스
8-PowerWDFN

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