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HGTP3N60A4D

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부품 번호
HGTP3N60A4D
제조사
ON Semiconductor
기술
IGBT 600V 17A 70W TO220AB
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
HGTP3N60A4D.pdf
합계:$1.40881
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부품 번호
HGTP3N60A4D
제조사
ON Semiconductor
기술
IGBT 600V 17A 70W TO220AB
부품 상태
Not For New Designs
IGBT 유형
-
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
17A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)
40A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 3A
전력 - 최대
70W
스위칭 에너지
37µJ (on), 25µJ (off)
입력 유형
Standard
게이트 차지
21nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C
6ns/73ns
시험 조건
390V, 3A, 50 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr)
29ns
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-220-3
공급 업체 장치 패키지
TO-220-3

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