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GT10J312(Q)

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부품 번호
GT10J312(Q)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
GT10J312(Q)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
부품 상태
Obsolete
IGBT 유형
-
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
10A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)
20A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
전력 - 최대
60W
스위칭 에너지
-
입력 유형
Standard
게이트 차지
-
Td (온 / 오프) @ 25 ° C
400ns/400ns
시험 조건
300V, 10A, 100 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr)
200ns
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급 업체 장치 패키지
TO-220SM

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