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NCP81075DR2G

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부품 번호
NCP81075DR2G
제조사
ON Semiconductor
기술
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
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무연 / RoHS 준수
합계:$1.05300
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부품 번호
NCP81075DR2G
제조사
ON Semiconductor
기술
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
부품 상태
Active
구동 구성
High-Side or Low-Side
채널 유형
Independent
드라이버 수
2
게이트 유형
N-Channel MOSFET
전압 - 공급
8.5V ~ 20V
논리 전압 - VIL, VIH
0.8V, 2.7V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크)
4A, 4A
입력 유형
Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩)
200V
상승 / 하강 시간 (일반)
8ns, 7ns
작동 온도
-40°C ~ 140°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지
8-SOIC

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