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APTMC120HR11CT3AG

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부품 번호
APTMC120HR11CT3AG
제조사
Microsemi
기술
POWER MODULE - SIC MOSFET
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견적 인용

부품 번호
APTMC120HR11CT3AG
제조사
Microsemi
기술
POWER MODULE - SIC MOSFET
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
26A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID
3V @ 5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
62nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
950pF @ 1000V
전력 - 최대
125W
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
Module
공급 업체 장치 패키지
SP3

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