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RQ3E070BNTB

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부품 번호
RQ3E070BNTB
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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부품 번호
RQ3E070BNTB
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
8.9nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
410pF @ 15V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
2W (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN

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