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HP8K22TB

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부품 번호
HP8K22TB
제조사
ROHM Semiconductor
기술
30V NCHNCH MID POWER MOSFET
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$0.47740
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$0.47740

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부품 번호
HP8K22TB
제조사
ROHM Semiconductor
기술
30V NCHNCH MID POWER MOSFET
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징
-
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
27A, 57A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
16.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1080pF @ 15V
전력 - 최대
25W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
공급 업체 장치 패키지
8-HSOP

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