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APTM100H45FT3G

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부품 번호
APTM100H45FT3G
제조사
Microsemi
기술
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$89.35350
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1PC
$89.35350

견적 인용

부품 번호
APTM100H45FT3G
제조사
Microsemi
기술
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
부품 상태
Active
FET 유형
4 N-Channel (H-Bridge)
FET 특징
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
1000V (1kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
18A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
5V @ 2.5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
154nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4350pF @ 25V
전력 - 최대
357W
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
SP3
공급 업체 장치 패키지
SP3

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