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SIZF906DT-T1-GE3

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부품 번호
SIZF906DT-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
SIZF906DT-T1-GE3
제조사
Vishay
기술
MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
60A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
전력 - 최대
38W (Tc), 83W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TA)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerWDFN
공급 업체 장치 패키지
8-PowerPair® (6x5)

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