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RSD131P10TL

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부품 번호
RSD131P10TL
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET P-CH 100V 13A CPT3
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$0.53760
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$0.53760

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부품 번호
RSD131P10TL
제조사
ROHM Semiconductor
기술
MOSFET P-CH 100V 13A CPT3
부품 상태
Not For New Designs
FET 유형
P-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
40nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2400pF @ 25V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
850mW (Ta), 20W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
CPT3
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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