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SSM6L36FE,LM

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부품 번호
SSM6L36FE,LM
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$0.08000
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$0.08000

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부품 번호
SSM6L36FE,LM
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
부품 상태
Active
FET 유형
N and P-Channel
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
500mA, 330mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs
630 mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
1.23nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
46pF @ 10V
전력 - 최대
150mW
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-563, SOT-666
공급 업체 장치 패키지
ES6 (1.6x1.6)

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