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BUK9C1R3-40EJ

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부품 번호
BUK9C1R3-40EJ
제조사
NXP Semiconductors
기술
MOSFET N-CH 40V D2PAK
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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부품 번호
BUK9C1R3-40EJ
제조사
NXP Semiconductors
기술
MOSFET N-CH 40V D2PAK
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
190A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs
1.3 mOhm @ 90A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
-
Vgs (최대)
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
-
작동 온도
-
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
D2PAK-7
패키지 / 케이스
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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