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EMB51T2R

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부품 번호
EMB51T2R
제조사
ROHM Semiconductor
기술
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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$0.06728

견적 인용

부품 번호
EMB51T2R
제조사
ROHM Semiconductor
기술
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
부품 상태
Active
트랜지스터 유형
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
30mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
50V
저항기 -베이스 (R1)
22 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2)
22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic
150mV @ 500µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대)
500nA
빈도 - 전환
250MHz
전력 - 최대
150mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-563, SOT-666
공급 업체 장치 패키지
EMT6

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