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W987D2HBJX6E TR

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부품 번호
W987D2HBJX6E TR
제조사
Winbond Electronics
기술
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
W987D2HBJX6E TR.pdf
합계:$2.18391
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$2.18391

견적 인용

부품 번호
W987D2HBJX6E TR
제조사
Winbond Electronics
기술
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
부품 상태
Not For New Designs
메모리 유형
Volatile
메모리 형식
DRAM
과학 기술
SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기
128Mb (4M x 32)
클럭 주파수
166MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
15ns
액세스 시간
5.4ns
메모리 인터페이스
Parallel
전압 - 공급
1.7V ~ 1.95V
작동 온도
-25°C ~ 85°C (TC)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
90-TFBGA
공급 업체 장치 패키지
90-VFBGA (8x13)

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