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FDMD86100

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부품 번호
FDMD86100
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET 2N-CH 100V
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
FDMD86100.pdf
합계:$1.54098
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$1.54098

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부품 번호
FDMD86100
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET 2N-CH 100V
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 특징
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID
4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2060pF @ 50V
전력 - 최대
2.2W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerWDFN
공급 업체 장치 패키지
8-Power 5x6

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