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BSM10GD120DN2E3224BOSA1

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부품 번호
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
제조사
Infineon Technologies
기술
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
합계:$56.91000
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굴절 가격
(미국 달러로)
1PC
$56.91000

견적 인용

부품 번호
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
제조사
Infineon Technologies
기술
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
부품 상태
Not For New Designs
IGBT 유형
-
구성
Full Bridge
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
15A
전력 - 최대
80W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
3.2V @ 15V, 10A
전류 - 콜렉터 차단 (최대)
400µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
530pF @ 25V
입력
Standard
NTC 서미스터
No
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
Module
공급 업체 장치 패키지
Module

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