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BSO211PNTMA1

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부품 번호
BSO211PNTMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
BSO211PNTMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
부품 상태
Obsolete
FET 유형
2 P-Channel (Dual)
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
4.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1.2V @ 25µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
23.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
920pF @ 15V
전력 - 최대
2W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지
P-DSO-8

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