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BSO615NGHUMA1

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부품 번호
BSO615NGHUMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
BSO615NGHUMA1.pdf
합계:$0.44583
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$0.44583

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부품 번호
BSO615NGHUMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
부품 상태
Active
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 특징
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
2.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
2V @ 20µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
380pF @ 25V
전력 - 최대
2W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지
PG-DSO-8

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