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EFC4618R-P-TR

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부품 번호
EFC4618R-P-TR
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET 2N-CH EFCP1818
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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부품 번호
EFC4618R-P-TR
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET 2N-CH EFCP1818
부품 상태
Obsolete
FET 유형
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 특징
Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
-
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (최대) @ ID
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
25.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
전력 - 최대
1.6W
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
4-XBGA, 4-FCBGA
공급 업체 장치 패키지
EFCP1313-4CC-037

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