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STGB4M65DF2

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부품 번호
STGB4M65DF2
제조사
STMicroelectronics
기술
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
STGB4M65DF2.pdf
합계:$0.57363
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$0.57363

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부품 번호
STGB4M65DF2
제조사
STMicroelectronics
기술
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S
부품 상태
Active
IGBT 유형
Trench Field Stop
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
8A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)
16A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
전력 - 최대
68W
스위칭 에너지
40µJ (on), 136µJ (off)
입력 유형
Standard
게이트 차지
15.2nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C
12ns/86ns
시험 조건
400V, 4A, 47 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr)
133ns
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급 업체 장치 패키지
D2PAK

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