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DMN2600UFB-7

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부품 번호
DMN2600UFB-7
제조사
Diodes Incorporated
기술
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
무연 상태 / RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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부품 번호
DMN2600UFB-7
제조사
Diodes Incorporated
기술
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
25V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
1.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID
1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
0.85nC @ 4.5V
Vgs (최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
70.13pF @ 15V
FET 특징
-
전력 발산 (최대)
540mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
3-DFN1006 (1.0x0.6)
패키지 / 케이스
3-UFDFN

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